E‐beam 蒸发台（ULVAC公司）：具有Al、Ti、Ni、Au、Pt、Ge、Cr等金属沉积工艺，沉积薄膜厚度<2um，具有高精度对准的shadow mask工艺。

APCVD：可进行常规氧化生长工艺以及退火工艺；APCVD热氧应力-300MPa。
PECVD：SiO2应力可调范围-300MPa到150MPa，SI3N4应力可调范围-250MPa到300MPa。
LPCVD：SIN、Upoly、α‐Si沉积工艺，SiN具有低应力工艺；LPCVD SIN应力150MPa到1100Mpa可调。