干法刻蚀

工艺能力

深硅刻蚀(BOSCH工艺,深宽比可达25:1)

VHF释放

单晶硅/多晶硅刻蚀

氧化硅/氮化硅刻蚀

光刻胶去除

PI刻蚀

深硅刻蚀机(STPS):BOSCH工艺,可满足90°±0.1梳齿工艺要求,也可满足高深宽比腔体工艺,深度比可达25:1。

RIE刻蚀机:可进行多种介质刻蚀,Oxide、SiN、Poly等。

VHF:可对MEMS结构进行Release工艺,乙醇与HF气体作为反应气体。

深硅刻蚀机刻蚀原理图

深硅刻蚀机实际操作图

深硅刻蚀机刻蚀效果

干法刻蚀

工艺能力

深硅刻蚀(BOSCH工艺,深宽比可达25:1)

VHF释放

单晶硅/多晶硅刻蚀

氧化硅/氮化硅刻蚀

光刻胶去除

PI刻蚀

深硅刻蚀机(STPS):BOSCH工艺,可满足90°±0.1梳齿工艺要求,也可满足高深宽比腔体工艺,深度比可达25:1。

RIE刻蚀机:可进行多种介质刻蚀,Oxide、SiN、Poly等。

VHF:可对MEMS结构进行Release工艺,乙醇与HF气体作为反应气体。

深硅刻蚀机刻蚀原理图

深硅刻蚀机实际操作图

深硅刻蚀机刻蚀效果

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