深硅刻蚀(BOSCH工艺,深宽比可达25:1)
VHF释放
单晶硅/多晶硅刻蚀
氧化硅/氮化硅刻蚀
光刻胶去除
PI刻蚀
深硅刻蚀机(STPS):BOSCH工艺,可满足90°±0.1梳齿工艺要求,也可满足高深宽比腔体工艺,深度比可达25:1。
RIE刻蚀机:可进行多种介质刻蚀,Oxide、SiN、Poly等。
VHF:可对MEMS结构进行Release工艺,乙醇与HF气体作为反应气体。
深硅刻蚀机刻蚀原理图
深硅刻蚀机实际操作图
深硅刻蚀机刻蚀效果
深硅刻蚀(BOSCH工艺,深宽比可达25:1)
VHF释放
单晶硅/多晶硅刻蚀
氧化硅/氮化硅刻蚀
光刻胶去除
PI刻蚀
深硅刻蚀机(STPS):BOSCH工艺,可满足90°±0.1梳齿工艺要求,也可满足高深宽比腔体工艺,深度比可达25:1。
RIE刻蚀机:可进行多种介质刻蚀,Oxide、SiN、Poly等。
VHF:可对MEMS结构进行Release工艺,乙醇与HF气体作为反应气体。
深硅刻蚀机刻蚀原理图
深硅刻蚀机实际操作图
深硅刻蚀机刻蚀效果