光刻

工艺能力

涂胶:旋涂

普通光阻:正胶/负胶

特殊光阻:SU8/Polyide

曝光:I-Line步进式,1X接近式/接触式,单面/双面曝光

显影

涂胶显影机(SUSS):Arm传送方式,涂胶显影盘边缘吸附,一体化为MEMS结构器件定制设备,有多种胶管支撑工艺选择。

双面曝光机(SUSS):支持双面曝光,正面曝光对准精度1um,背面曝光对准精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工艺。

步进光刻机(Ultatech Stepper):对准精度0.3um,工艺最小CD 0.8um,可满足大部分小线宽MEMS工艺CD。

步进光刻机原理

光刻机实际操作图

产品曝光效果

光刻

工艺能力

涂胶:旋涂

普通光阻:正胶/负胶

特殊光阻:SU8/Polyide

曝光:I-Line步进式,1X接近式/接触式,单面/双面曝光

显影

涂胶显影机(SUSS):Arm传送方式,涂胶显影盘边缘吸附,一体化为MEMS结构器件定制设备,有多种胶管支撑工艺选择。

双面曝光机(SUSS):支持双面曝光,正面曝光对准精度1um,背面曝光对准精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工艺。

步进光刻机(Ultatech Stepper):对准精度0.3um,工艺最小CD 0.8um,可满足大部分小线宽MEMS工艺CD。

步进光刻机原理

光刻机实际操作图

产品曝光效果

首页 代工种类 工艺能力 联系我们