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公司以6英寸体硅工艺为主,可实现多种工艺的加工服务:

光刻:接近式光刻(可双面)和步进光刻,最小线宽1um

薄膜制备:氧化、LPCVD、TEOS、PECVD

金属制备:E-beam、磁控溅射

湿法腐蚀:KOH、 BOE/HF等

干法刻蚀:RIE、DRIE(深宽比达到40)

键合:硅硅、硅-玻璃、金属共晶、金属热压等多种键合

压电材料制备:AlN

结构释放:气态HF刻蚀、XeF2刻蚀

减薄:机械减薄、CMP

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